三星的64Gb高性能NAND閃存使用了10nm級的64GB eMMC Pro Class2000內存解決方案,這種新的內存解決方案在性能方面超過了使用eMMC 4.5接口的64GB eMMC Pro Class 1500。這種高速的eMMC將在明年提交給電子元件工業聯合會,並且會被採納為行業標準。
在三星推出它的第一個支持eMMC 4.5接口的嵌入式內存後,僅過了5個月三星就又推出了下一代的eMMC Pro Class 2000,並且性能比上一代要提高30%。這種新的內存解決方案的隨機寫入和讀取速度分別是2000IOPS和5000IOPS。另外,連續讀取和寫入速度達到了260MB/s和50MB/s,比普通的class 10存儲卡快10倍。
64Gb的Pro Class 2000的標準是11.5nm-13nm,這比傳統的嵌入式內存12nm-16nm的形狀係數下降了20%。