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熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】ARM:14nm FinFET工藝高能低耗,仍面臨挑戰

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andy6989


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鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
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 【資訊】ARM:14nm FinFET工藝高能低耗,仍面臨挑戰

  ARM表示現時三星正在研發的14納米FinFET技術將能提升處理器性能和降低能耗,不過這種技術仍存在一些要解決的問題。

  ARM的高管介紹,他們的合作夥伴通過DVFS(動態電壓和頻率定標)技術去設計SoC,提升了其性能並降低負載。14納米FinFET技術更低的工作電壓擴大了在低檔和過載條件下的電壓範圍。ARM Big.Little架構可以在中低程度的工作負載下令高端產品性能變得更高,更有效率。



  X-bit labs認為,面對英特爾和AMD這樣的對手,該技術能帶來更大的競爭力,不過要設計這種複雜的芯片,設計師還要克服很多困難。

  現今為了製造出高性能,低能耗的SoC,設計師常常通過EDA去設計產品,例如門控時鐘、電源門控、Multi-Vt、Multi-VDD,滿足DVFS和AVS的要求。在14納米FinFET上需要確保使用這樣的技術和新理念能提高產品的功率,設計師還要考慮到市場的需求和時效性這些因素。



  今年早些時候ARM承諾通過高級生產技術可以把處理器的主核心提升到16個或是32個,達到更高性能和在同一時間內運行更多的APP。更小的核心尺寸、新的晶體管構築技術、材料、刻蝕技術都會繼續推動該領域的發展。


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發表於:2013-04-23 08:36

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