熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】單芯片1TB!Crossbar RRAM挑戰閃存

--> 本頁主題: 【資訊】單芯片1TB!Crossbar RRAM挑戰閃存 加為IE收藏 | 收藏主題 | 上一主題 | 下一主題 | 可列印版本
andy6989


終身成就獎
頭銜:論壇執行長論壇執行長

∷ 職務: 站長 該帥哥目前不在線
∷ 編號: 1
∷ 級別: 天使會員
∷ 發帖: 8098
∷ 威望: 6189
∷ 財富: 36813 蓋幣
∷ 貢獻: 173
∷ 配偶: 單身
∷ 家族: 無門無派
∷ 註冊: 2005-01-30
∷ 上次: 2019-03-27
鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
  【字體: Plurk Twitter 
【本站推薦】:
 【資訊】單芯片1TB!Crossbar RRAM挑戰閃存

美國加州創業公司Crossbar, Inc.經過長期沉默後突然爆發,宣佈了自主研發的全新大容量、高性能非易失性存儲技術「Crossbar Resistive RAM」(電阻式記憶體/RRAM),號稱可在200平方毫米大小(基本上就相當於個拇指蓋)的芯片裡存儲最多1TB數據。

Crossbar同時宣佈,已經在一家商業晶圓廠內開發出了可工作的Crossbar存儲陣列,完整集成了單片電路CMOS控制器,從而邁出了投入實用的里程碑一步,而不僅僅是停留在幻燈片上。

目前,Crossbar已經完成了該原型的定性、優化,首款產品將會面向嵌入式SoC市場,並向SoC廠商開放技術授權,不過RRAM的適用範圍極廣,包括消費電子、手機、平板機、企業存儲、固態硬盤、雲計算、工業聯網設備、損耗計算、安全支付等等,基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。

Crossbar RRAM本身就是簡單的三層式結構,所以能夠進行3D堆疊,進一步擴大容量,而且兼容主流的CMOS製造工藝。


RRAM 3D堆疊陣列

Crossbar宣稱,相比於當今最先進的NAND閃存,這種新型存儲技術能帶來20倍的寫入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗,而內核面積可以小一半還要多——官方數據是同樣的25nm 8GB,NAND閃存需要167平方毫米,RRAM只需77平方毫米。

另外,NAND閃存在25nm工藝之後出現了嚴重的性能下滑、壽命縮短問題,RRAM則可以一路走到5nm甚至更遠。


RRAM、NAND內核面積比較


RRAM相比於NAND的諸多優勢


兼容CMOS工藝

Crossbar RRAM的每一個存儲單元都放置在橫豎交錯的互連層中間,形成頂部金屬電極、中間切換媒介、底部電極的結構,納米粒子可以在中間形成上下聯通的導電通路。





下圖就是一個簡單的四層堆疊陣列。最底部是CMOS控制器電路,因為就在存儲陣列下方可以節省內核空間,也不需要大型的高壓晶體管。中間部分是兩個鍍金屬層,用於在控制器電路、存儲陣列之間傳輸信號。



※ ※ ※ 本文為 andy6989 與 熊蓋站 共同所有,未經同意,請勿轉載 ※ ※ ※

 



≡熊蓋站管理團隊≡--共勉之--



[樓 主] |
發表於:2013-08-06 16:08

  熊蓋站 -> 硬體資訊

v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.014940 second(s),query:4 Gzip enabled
   現在時間是 2024-11-27 21:38