熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

--> 本頁主題: 【資訊】三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND 加為IE收藏 | 收藏主題 | 上一主題 | 下一主題 | 可列印版本
andy6989


終身成就獎
頭銜:論壇執行長論壇執行長

∷ 職務: 站長 該帥哥目前不在線
∷ 編號: 1
∷ 級別: 天使會員
∷ 發帖: 8098
∷ 威望: 6189
∷ 財富: 36813 蓋幣
∷ 貢獻: 173
∷ 配偶: 單身
∷ 家族: 無門無派
∷ 註冊: 2005-01-30
∷ 上次: 2019-03-27
鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
  【字體: Plurk Twitter 
【本站推薦】:
 【資訊】三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣佈已經批量投產全球第一個採用3D垂直設計的NAND閃存「V-NAND」。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、內存什麼的都要堆起來。

三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部採用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。

三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm NAND閃存的兩倍。Tb(128GB)級別的閃存芯片指日可待。



早在2006年,三星就研發了CTF技術。在這種結構的NAND閃存中,電荷被臨時存放在氮化硅(SiN)材料製成的非導電層上,而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾。現在,三星又成功把這種結構推向了三維層面。

此外,三星自己研發的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起,並且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔,實現各個層的電子互連。

三星還驕傲地披露,經過十多年的研發,他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利

三星的V-NAND閃存廣泛適用於消費電子和企業級應用,包括嵌入式NAND存儲、固態硬盤。





※ ※ ※ 本文為 andy6989 與 熊蓋站 共同所有,未經同意,請勿轉載 ※ ※ ※

 



≡熊蓋站管理團隊≡--共勉之--



[樓 主] |
發表於:2013-08-06 09:10

  熊蓋站 -> 硬體資訊

v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.011071 second(s),query:4 Gzip enabled
   現在時間是 2024-11-27 14:39