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andy6989


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鮮花(55)
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MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
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 【資訊】單芯片1TB!Crossbar RRAM挑戰閃存

美國加州創業公司Crossbar, Inc.經過長期沉默後突然爆發,宣佈了自主研發的全新大容量、高性能非易失性存儲技術「Crossbar Resistive RAM」(電阻式記憶體/RRAM),號稱可在200平方毫米大小(基本上就相當於個拇指蓋)的芯片裡存儲最多1TB數據。

Crossbar同時宣佈,已經在一家商業晶圓廠內開發出了可工作的Crossbar存儲陣列,完整集成了單片電路CMOS控制器,從而邁出了投入實用的里程碑一步,而不僅僅是停留在幻燈片上。

目前,Crossbar已經完成了該原型的定性、優化,首款產品將會面向嵌入式SoC市場,並向SoC廠商開放技術授權,不過RRAM的適用範圍極廣,包括消費電子、手機、平板機、企業存儲、固態硬盤、雲計算、工業聯網設備、損耗計算、安全支付等等,基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。

Crossbar RRAM本身就是簡單的三層式結構,所以能夠進行3D堆疊,進一步擴大容量,而且兼容主流的CMOS製造工藝。


RRAM 3D堆疊陣列

Crossbar宣稱,相比於當今最先進的NAND閃存,這種新型存儲技術能帶來20倍的寫入性能(140MB/s VS. 7MB/s)、10倍的可靠性和耐用性(125℃下十年VS. 85℃下一至三年)、1/20的功耗,而內核面積可以小一半還要多——官方數據是同樣的25nm 8GB,NAND閃存需要167平方毫米,RRAM只需77平方毫米。

另外,NAND閃存在25nm工藝之後出現了嚴重的性能下滑、壽命縮短問題,RRAM則可以一路走到5nm甚至更遠。


RRAM、NAND內核面積比較


RRAM相比於NAND的諸多優勢


兼容CMOS工藝

Crossbar RRAM的每一個存儲單元都放置在橫豎交錯的互連層中間,形成頂部金屬電極、中間切換媒介、底部電極的結構,納米粒子可以在中間形成上下聯通的導電通路。





下圖就是一個簡單的四層堆疊陣列。最底部是CMOS控制器電路,因為就在存儲陣列下方可以節省內核空間,也不需要大型的高壓晶體管。中間部分是兩個鍍金屬層,用於在控制器電路、存儲陣列之間傳輸信號。



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發表於:2013-08-06 16:08

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