熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】ARM:14nm FinFET工藝高能低耗,仍面臨挑戰

--> 本頁主題: 【資訊】ARM:14nm FinFET工藝高能低耗,仍面臨挑戰 加為IE收藏 | 收藏主題 | 上一主題 | 下一主題 | 可列印版本
andy6989


終身成就獎
頭銜:論壇執行長論壇執行長

∷ 職務: 站長 該帥哥目前不在線
∷ 編號: 1
∷ 級別: 天使會員
∷ 發帖: 8098
∷ 威望: 6189
∷ 財富: 36813 蓋幣
∷ 貢獻: 173
∷ 配偶: 單身
∷ 家族: 無門無派
∷ 註冊: 2005-01-30
∷ 上次: 2019-03-27
鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
  【字體: Plurk Twitter 
【本站推薦】:
 【資訊】ARM:14nm FinFET工藝高能低耗,仍面臨挑戰

  ARM表示現時三星正在研發的14納米FinFET技術將能提升處理器性能和降低能耗,不過這種技術仍存在一些要解決的問題。

  ARM的高管介紹,他們的合作夥伴通過DVFS(動態電壓和頻率定標)技術去設計SoC,提升了其性能並降低負載。14納米FinFET技術更低的工作電壓擴大了在低檔和過載條件下的電壓範圍。ARM Big.Little架構可以在中低程度的工作負載下令高端產品性能變得更高,更有效率。



  X-bit labs認為,面對英特爾和AMD這樣的對手,該技術能帶來更大的競爭力,不過要設計這種複雜的芯片,設計師還要克服很多困難。

  現今為了製造出高性能,低能耗的SoC,設計師常常通過EDA去設計產品,例如門控時鐘、電源門控、Multi-Vt、Multi-VDD,滿足DVFS和AVS的要求。在14納米FinFET上需要確保使用這樣的技術和新理念能提高產品的功率,設計師還要考慮到市場的需求和時效性這些因素。



  今年早些時候ARM承諾通過高級生產技術可以把處理器的主核心提升到16個或是32個,達到更高性能和在同一時間內運行更多的APP。更小的核心尺寸、新的晶體管構築技術、材料、刻蝕技術都會繼續推動該領域的發展。


※ ※ ※ 本文為 andy6989 與 熊蓋站 共同所有,未經同意,請勿轉載 ※ ※ ※

 



≡熊蓋站管理團隊≡--共勉之--



[樓 主] |
發表於:2013-04-23 08:36

  熊蓋站 -> 硬體資訊

v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.010745 second(s),query:4 Gzip enabled
   現在時間是 2024-11-27 17:28