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andy6989


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 【資訊】後NAND時代,2013年PCM儲存技術上位

PCM相變存儲技術被視為NAND技術的繼任者,美光之前還宣稱已經大規模量產了45nm工藝的PCM模塊,但是這種未來型的技術到底合適才能出現在我們的生活中呢?

  Theregister網站援引EMC高級副總、閃存部門主管扎西德·侯賽因的說法稱,2013年將是PCM閃存的新起點,有望見到實際產品出現在市場上。
  目前的NAND閃存工藝已經向20nm級別過渡,未來15nm或更高的工藝下NAND的發展就會面臨瓶頸,速度會變慢,而ECC糾錯則會更加複雜。從目前的20nm閃存工藝來看,速度表現還好,但是P/E寫入次數已經降低到1500次量級,未來的15nm MLC NAND或許會低於1000,這都是讓人頭疼的問題。

PCM相變儲存技術
  因此我們很快就會面臨後NAND閃存時代,新一代閃存技術的儲存密度會更高,讀寫速度更快,甚至可以達到RAM級別,按bit尋址而非目前的block尋址,還會擁有更高的可靠性,實現這些要求是對閃存業界的一次大考。
  PCM閃存是一個潛在的可能,三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在積極開發PCM儲存技術,雖然他們還在研發其他類型的非易失性閃存技術,但是儲存專家EMC還是傾向於PCM技術。
  EMC高管扎西德·侯賽因對2013年的閃存市場做了分析預測,首先他表示閃存技術已經是目前所有儲存體系的基礎,幾乎無所不在,這一點是沒有疑問的。第二,2013年我們會看到PCM閃存帶來的騷動,儲存業界會加大相關產品的供應,這將為現有存儲體繫帶來低延遲、高速度的新選擇,PCM閃存的速度甚至可以接近RAM。
  EMC目前正在跟美光合作開發自有的VFCache PCI卡以及代號Thunder Box的VFCache卡,由於美光是PCM技術的支持者,或許EMC的專家此番說法是得到了美光的某些內幕消息。
  EMC看起來非常期待PCM存儲技術,侯賽因表示明年的PCM業界就會迎來更多投資。


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發表於:2012-12-01 12:43

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