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andy6989


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MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
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 【資訊】20nm里程碑,GF開始安裝3D堆疊工藝相關設備

Intel的3D晶體管工藝已經開始量產,IBM、三星、GF參與的通用技術聯盟在三、四年後的14nm節點才會啟用三柵極晶體管電路,但是GF也不是沒有絕招,他們在官網宣佈了另一項3D工藝里程碑,將在未來的3D堆疊工藝上保持領先。

位於紐約州薩拉托加城鎮的Fab 8晶圓廠正在安裝一種特殊的工具,它可以用來製造TSVs晶圓(Through-silicon via,貫通型晶圓通道),有助於GF在未來的20nm工藝節點繼續保持領先地位。TSV技術主要用來製造多層堆疊芯片,可以滿足未來電子設備的苛刻需求。

  簡單來說,TSV技術可以在晶圓上蝕刻出垂直的空洞,並用銅填充,堆疊的電路就可以借助這些銅線互相連接。舉例來說,TSV允許設計人員在處理器電路層上堆疊一層內存電路,這樣一來處理器和內存的連接將是芯片級的,可以極大地提高內存帶寬並減少功耗,這對智能手機和平板來說至關重要。

  3D堆疊工藝被視為傳統集成電路的替代者,它的優勢和意義不亞於Intel的3D晶體管工藝。除了工藝自身的難題之外,對新型芯片封裝技術要求也很高,晶圓廠和合作夥伴必須提供端對端的一體式解決方案才能滿足要求。

  Fab 8是GF旗下最先進的晶圓廠,主要致力於32/28nm及以下工藝的研究和生產,首個使用TSV技術的Full-flow晶圓將在2012年第三季度開始運轉。


3D堆疊工藝被視為傳統集成電路的替代者

相關附件:
3d-chip-stacking.jpg (2012-04-27 05:21,48KB)

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發表於:2012-04-27 05:21

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