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熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】NAND工藝路線圖:20nm是主流,2013年底邁向1xnm工藝

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andy6989


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 【資訊】NAND工藝路線圖:20nm是主流,2013年底邁向1xnm工藝

  近年來整個NAND市場因SSD及智能設備的快速發展而不斷壯大,從2012年到2017年這五年間SSD銷量將增長6倍,今年的NAND市場產值也將達到300億美元,歷史上第一次超過DRAM產產業。

  從今年開始,世界主流NAND廠商陸續從上一代25nm工藝升級到了20nm工藝,下一代的NAND閃存會使用什麼工藝呢?Techinsights公佈了一份NAND工藝路線圖,顯示主要NAND廠商今年底會逐步升級到1xnm工藝,不同廠商則有18、16及15nm工藝的不同。



  圖中的ITRS(半導體國際技術路線圖)並非一家公司,而是國際組織制定的、反應NAND整體工藝進展的路線圖。從ITRS的路線圖來看,業界在2012年的主流是20nm工藝階段,今年的主流則是18nm,年底則會升級到16nm。

  還是來看各個廠商的具體工藝路線圖吧。美光、Intel合資的IMFT會在2013年Q3季度升級到18nm工藝,三星及SK Hynix升級新工藝的節點也在Q3季度,但是前者會升級到16nm工藝,SK Hynix則會升級到15nm。

  東芝、SanDisk合資的NAND廠升級19nm比其他廠商要晚一些,不過升級到未來的1xnm工藝進度要比其他廠商快,今年Q2季度就會開始製程轉換,只是現在還不知道東芝的1xnm工藝到底是多少。

  雖然製程工藝在升級,MLC依然會是四大NAND廠商的主要選擇,但是線寬的降低也給MLC帶來更多的挑戰,漏電流控制柵極都會導致可靠性進一步減少。低電壓及低線寬(工藝越高線寬刻度越小)都會給MLC帶來嚴重挑戰。

  為了進一步提高芯片密度,廠商們還準備將目前的2D工藝升級到3D工藝,這樣可以在一個上硅芯片上佈置2層電路,這就是常說的3D堆疊工藝。

  期待在2013年晚些時候見到3D堆疊的NAND。


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發表於:2013-05-10 05:13

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