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--  【資訊】美光用IBM工藝投產3D內存芯片 提速15倍 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=32523)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2011 12 2 12:46 PM

--  【資訊】美光用IBM工藝投產3D內存芯片 提速15倍


IBM、美光今天聯合宣佈,將會借助藍色巨人在全球率先投入商用的TSV(硅穿孔)工藝技術,製造美光開發的混合存儲立方體(HMC)內存芯片,號稱可在速度上比現有內存芯片快最多15倍。

HMC芯片使用垂直管道(或者說穿孔)將多個獨立芯片堆疊封裝在一起,產品原型的帶寬就已高達128GB/s,最終成品還會更高,而目前普通內存最高也不過12.8GB/s。與此同時,HMC能夠將芯片的封裝尺寸減小最多90%,同時傳輸數據消耗的能量也減少70%。
IBM新開發的3-D TSV製造工藝正好就是用來連接3D微架構的,將成為HMC內存投入商業性量產的基礎。
IBM會在紐約州東菲什基爾(East Fishkill)的工廠,採用32nm HKMG工藝製造美光HMC內存芯片,而有關其TSV技術的更多細節將在近日的IEEE國際電子設備會議上公佈。
HMC內存初期面向大規模網絡、高性能計算、工業自動化等專業領域,但最終會爭取進入消費級產品。




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