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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=1) --  【資訊】三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=40161)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 08 6 9:10 AM --  【資訊】三星宣佈量產全球首個3D垂直閃存V-NAND 三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣佈已經批量投產全球第一個採用3D垂直設計的NAND閃存「V-NAND」。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、內存什麼的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部採用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。 三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm NAND閃存的兩倍。Tb(128GB)級別的閃存芯片指日可待。 早在2006年，三星就研發了CTF技術。在這種結構的NAND閃存中，電荷被臨時存放在氮化硅(SiN)材料製成的非導電層上，而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾。現在，三星又成功把這種結構推向了三維層面。 此外，三星自己研發的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起，並且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔，實現各個層的電子互連。 三星還驕傲地披露，經過十多年的研發，他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利。 三星的V-NAND閃存廣泛適用於消費電子和企業級應用，包括嵌入式NAND存儲、固態硬盤。

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