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--  【資訊】全球第一:海力士量產16nm 8GB閃存顆粒 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=41828)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2013 11 21 2:22 PM

--  【資訊】全球第一:海力士量產16nm 8GB閃存顆粒


韓國SK海力士今天宣佈,已經開始大規模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒,這也是當今最先進的閃存製造工藝。

其實早在今年六月,海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存,最近投產的則是第二版,芯片尺寸更小,更具競爭力。

此外,海力士還根據16nm 64Gb閃存的規範和耐久性,成功研發了128Gb(16GB)容量版本,存儲密度世界最高,計劃明年初投入量產。

海力士指出,通常情況下,NAND閃存工藝越先進,單元之間的 干擾就越嚴重,但是他們引入了最新的Air-Gap技術來克服這種干擾,主要是將電路之間用於絕緣的基底換成了真空孔。

海力士最後稱,將繼續加速研發TLC NAND、3D NAND閃存技術。




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