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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=11) --  【資訊】三星開始量產10納米128Gb TLC NAND閃存芯片 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=37854)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 04 11 2:51 PM --  【資訊】三星開始量產10納米128Gb TLC NAND閃存芯片 　　三星宣佈開始量產10納米的128Gb TLC NAND閃存芯片。在去年11月時三星才開始生產10納米的64Gb TLC NAND閃存芯片，而現在已經翻倍了。 　　據Softpedia介紹，新的閃存芯片將會應用於128GB的存儲卡，500GB或更高容量的SSD固態硬盤，PCI-E接口的SSD，還有其他方面。 　　三星表示新芯片使用了Toggle DDR 2.0接口，傳輸速度可以達到400Mbps，而存儲密度也是業界最高的。與20納米的64Gb TLC閃存相比，10納米的128Gb TLC閃存產品的生產力可以達到它的兩倍。 　　2010年，三星首次大量生產了20納米的64Gb TLC閃存產品，隨後搭載於去年推出的840系列SSD產品。

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