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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=15) --  【資訊】英特爾SoC將引入22納米三柵極3D晶體管技術 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=36567)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2012 12 11 8:55 AM --  【資訊】英特爾SoC將引入22納米三柵極3D晶體管技術 　　英特爾SoC將引入22納米三柵極3D晶體管技術。這種技術將大大提升產品的性能，也有利於英特爾在和ARM架構處理器的競爭中獲得優勢。 　　英特爾在研究如何把更多的硅加入到智能手機和平板電腦中。在IEDM大會上，英特爾展示了下一代的22納米SoC技術。它能把大部分的設備核心功能都集成到一塊硅晶片上，這對於重視空間利用和功耗的移動設備來說有很大的使用價值。 　　按照CNET的說法，英特爾在過去著重於研發更高性能的晶體管，而現在他們研發的晶體管技術範圍變大了，這些技術會落到移動設備上。 　　平板電腦和移動設備很注重SoC技術，但大部分的這些小型設備都是基於ARM架構的SoC技術，這對英特爾來說是一個頭疼的地方。 英特爾三柵極SoC晶體管 　　英特爾將在SoC上使用22納米的三柵極3D晶體管技術。按照他們的說法，使用這種新技術將比當前的32納米SoC提升20%-65%的性能。 英特爾將向10納米技術進發 　　雖然現時22納米的三柵極技術應用在Ivy Bridge處理器上，但並沒有應用在SoC，這算是一種滯後。現時的SoC仍使用32納米技術，它們被用在Windows 8的平板和摩托羅拉及聯想的智能手機上。至於什麼時候才會引入22納米的三柵極技術，暫時英特爾還沒有透露，不過有傳該新款芯片的代號將被稱為Silvermont，是基於Atom重新設計的產品。

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