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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=16) --  【資訊】後NAND時代，2013年PCM儲存技術上位 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=36402)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2012 12 1 12:43 PM --  【資訊】後NAND時代，2013年PCM儲存技術上位 PCM相變存儲技術被視為NAND技術的繼任者，美光之前還宣稱已經大規模量產了45nm工藝的PCM模塊，但是這種未來型的技術到底合適才能出現在我們的生活中呢？ 　　Theregister網站援引EMC高級副總、閃存部門主管扎西德·侯賽因的說法稱，2013年將是PCM閃存的新起點，有望見到實際產品出現在市場上。 　　目前的NAND閃存工藝已經向20nm級別過渡，未來15nm或更高的工藝下NAND的發展就會面臨瓶頸，速度會變慢，而ECC糾錯則會更加複雜。從目前的20nm閃存工藝來看，速度表現還好，但是P/E寫入次數已經降低到1500次量級，未來的15nm MLC NAND或許會低於1000，這都是讓人頭疼的問題。 PCM相變儲存技術 　　因此我們很快就會面臨後NAND閃存時代，新一代閃存技術的儲存密度會更高，讀寫速度更快，甚至可以達到RAM級別，按bit尋址而非目前的block尋址，還會擁有更高的可靠性，實現這些要求是對閃存業界的一次大考。 　　PCM閃存是一個潛在的可能，三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在積極開發PCM儲存技術，雖然他們還在研發其他類型的非易失性閃存技術，但是儲存專家EMC還是傾向於PCM技術。 　　EMC高管扎西德·侯賽因對2013年的閃存市場做了分析預測，首先他表示閃存技術已經是目前所有儲存體系的基礎，幾乎無所不在，這一點是沒有疑問的。第二，2013年我們會看到PCM閃存帶來的騷動，儲存業界會加大相關產品的供應，這將為現有存儲體繫帶來低延遲、高速度的新選擇，PCM閃存的速度甚至可以接近RAM。 　　EMC目前正在跟美光合作開發自有的VFCache PCI卡以及代號Thunder Box的VFCache卡，由於美光是PCM技術的支持者，或許EMC的專家此番說法是得到了美光的某些內幕消息。 　　EMC看起來非常期待PCM存儲技術，侯賽因表示明年的PCM業界就會迎來更多投資。

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