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--  【資訊】美光宣佈首個DDR4內存模組研發完成 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=34574)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2012 05 7 3:05 PM

--  【資訊】美光宣佈首個DDR4內存模組研發完成


雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內存/閃存設備生產商三星與SK Hynix慢了一步,但美光還是緊追不放在今日正式宣佈該公司首個DDR4 DRAM模組研發完成。目前即將開始製造樣品給主要客戶送測,預計將於2013年正式進入市場。
根據內存標準化組織JEDEC的規劃,服務器以及企業市場將於2013年最先嘗到DDR4的甜頭,它對比目前的DDR3內存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣佈的產品和台灣南亞科技共同研發,採用30nm製程工藝。單「條」內存模組擁有8塊4Gbit DDR4顆粒,總容量4GBytes。可做成常見的台式機、SO-DIMM(筆記本)、RDIMM/LRDIMM(服務器)等常用封裝並支持ECC,傳輸速度可達2400-3200MT/s,即等效運行頻率2400-3200MHz
美光在官方新聞稿中宣稱,隨著JEDEC對DDR4標準的制訂最後完成,美光計劃於2012年底開始批量生產新的DDR4顆粒。



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