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--  【資訊】採用HKMG技術打造,美光表示20nm工藝閃存壽命有保證 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=32698)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2011 12 23 12:21 PM

--  【資訊】採用HKMG技術打造,美光表示20nm工藝閃存壽命有保證


由於工藝從34nm進步到25nm後,NAND閃存芯片的寫入壽命有所下降,因此在美光和英特爾開始使用20nm工藝打造新產品的時候,業界普遍擔心新工藝會再一次讓閃存芯片壽命下降。不過美光則明確表示,20nm製程工藝應用了HKMG技術,對應產品的壽命與25nm工藝產品處於同一水平。

  據美光首席財政官Ronald Foster稱,得益於用在CPU與GPU上的HKMG技術,20nm工藝閃存芯片在長期讀寫的測試中一直正常,使用壽命基本與現有25nm產品維持一致,因此無論是廠商還是用戶都完全不需要擔心產品壽命問題。
  早前美光和英特爾聯手合資的閃存廠商IMFT推出了第二款採用20nm工藝打造的128Gb(即16GB)容量NAND閃存芯片。該產品採用了最新的ONFi 3.0標準,Page size由常用的4KB提升到16KB,預計在2013年全面進駐固態硬盤產品。


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