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--  【資訊】3D堆疊封裝:三星打造32GB節能內存條 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=32285)


--  作者:kof
--  發佈時間:2011 08 17 12:54 PM

--  【資訊】3D堆疊封裝:三星打造32GB節能內存條


三星電子於今日發佈了內存產品方面的又一標誌性產品:節能型單條32GB DDR3服務器內存模組,採用3D TSV(直通硅晶穿孔)封裝技術打造。
這款新的32GB RDIMM(Registered DIMM)內存使用30nm級別工藝製造的DRAM顆粒,默認運行頻率為DDR3-1333MHz,功率只有4.5W,三星稱該產品為「企業服務器用內存產品中功耗最低級別」。三星使用3D TSV封裝技術的內存模組比其普通30nm級別工藝的LRDIMM產品功耗平均低約30%
TSV封裝技術的優勢在於能使芯片像三明治一樣多層堆疊,提高封裝密度,使得內部連接路徑更短,相對使芯片間的傳輸速度更快、噪聲小、效能更佳與單層封裝技術的產品相當。三星旗下的高密度TSV封裝RDIMM內存產品現已進入試產階段,並且將在不久後實現大規模量產。




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