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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=3) --  【資訊】ARM：14nm FinFET工藝高能低耗，仍面臨挑戰 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=38138)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 04 23 8:36 AM --  【資訊】ARM：14nm FinFET工藝高能低耗，仍面臨挑戰 　　ARM表示現時三星正在研發的14納米FinFET技術將能提升處理器性能和降低能耗，不過這種技術仍存在一些要解決的問題。 　　ARM的高管介紹，他們的合作夥伴通過DVFS（動態電壓和頻率定標）技術去設計SoC，提升了其性能並降低負載。14納米FinFET技術更低的工作電壓擴大了在低檔和過載條件下的電壓範圍。ARM Big.Little架構可以在中低程度的工作負載下令高端產品性能變得更高，更有效率。 　　X-bit labs認為，面對英特爾和AMD這樣的對手，該技術能帶來更大的競爭力，不過要設計這種複雜的芯片，設計師還要克服很多困難。 　　現今為了製造出高性能，低能耗的SoC，設計師常常通過EDA去設計產品，例如門控時鐘、電源門控、Multi-Vt、Multi-VDD，滿足DVFS和AVS的要求。在14納米FinFET上需要確保使用這樣的技術和新理念能提高產品的功率，設計師還要考慮到市場的需求和時效性這些因素。 　　今年早些時候ARM承諾通過高級生產技術可以把處理器的主核心提升到16個或是32個，達到更高性能和在同一時間內運行更多的APP。更小的核心尺寸、新的晶體管構築技術、材料、刻蝕技術都會繼續推動該領域的發展。

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