熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

以文本方式查看主題

-  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php)
--  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=3)
--  【資訊】GT3e再揭秘:128MB容量,512bit位寬,50美元成本 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=38167)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2013 04 24 3:01 AM

--  【資訊】GT3e再揭秘:128MB容量,512bit位寬,50美元成本


  Haswell處理器中整合L4緩存的GT3e核顯最為引人矚目,此前的消息已經揭示了GT3e的部分秘密,容量也從最初傳聞的128MB減少到64MB,不過Anandtech援引Realwordtech的分析進一步揭開了GT3e核顯的秘密,其實際容量還是128MB,使用了512bit位寬,不過50美元的成本代價不菲。

  先來看一下故事的背景。早在Ivb Bridge這一代Intel就有考慮為核顯集成緩存,22nm 3D晶體管工藝是一個極好的契機,而集成了大容量高速緩存之後的核顯性能也會更強。不過考慮到這樣做的成本和發熱,Intel CEO保羅·奧特裡尼認為設計這種只有蘋果才有可能採購的產品並不值得(GT3e難道是應蘋果的要求?),所以否決了這個計劃,直到Haswell架構上才放行,因為時代不一樣了。



  GT3e的基本情況我們也有所瞭解了,40個EU執行單元,對應的CPU只會有BGA封裝,LGA封裝的桌面版處理器無緣GT3e,由於發熱會增大,TDP也變高了。按照Intel此前的描述,GT3e核顯的性能可與GT 650M一較高下。

  RWT分析稱,Intel在2013年的VLSI超大規模集成電路會議上發表了一篇論文——集成3D晶體管及MIMCAP板載芯片的22nm高性能嵌入式eDRAM SoC技術,這裡就提到了Haswell GT3e核顯的設計。GT3e核顯集成了128MB eDRAM,位寬512bit,帶寬可達64GB/s,作為對比的是128bit 5Gbps GDDR5的GT 650帶寬是80GB/s,DDR3版的GT 640帶寬在28.5-43GB/s之間。

  Intel使用eDRAM而非DDR3作為緩存是因為前者更容易集成,此外還考慮到了發熱、功耗、集成的難度等等因素。Intel 22nm工藝的晶體管密度約為17.5Mbit/mm2,這128MB eDRAM的核心面積在60mm2左右,算上外圍的控制器之類的,總的核心面積在70-80mm2之間,估算成本可達50美元。成本不算低,相比桌面版Core i7-4770K最高327美元的售價來看,Intel為啥不在桌面版集成GT3e核顯也就一目瞭然了。

  根據之前的文檔顯示,這個嵌入式eDRAM是作為L4緩存存在的,可以同時提升CPU和GPU性能。在服務器環境中,大容量緩存對多核處理器是很有用的。在這裡L4緩存也能提升GPU的性能,雖然不能指望它有高端GPU的表現,但是相比傳統集成式GPU的設計來說,GT3e應該會帶來更好的性能。

  最後,eDRAM技術也不是什麼新技術了,IBM及索尼都用過這樣的設計。此前洩露的AMD Kaveri集成GDDR5內存更強大,不知AMD會不會最終把這個設計帶到桌面上來。


v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.010428 second(s),query:2 Gzip enabled
   現在時間是 2024-11-27 18:50