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--  【資訊】IBM展示全世界第一塊20nm工藝晶圓 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=31257)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2011 02 5 3:18 PM

--  【資訊】IBM展示全世界第一塊20nm工藝晶圓


上周舉行的Common Platform 2011技術大會上,IBM領銜的通用技術聯盟各自介紹了其半導體製造工藝的最新進展,藍色巨人自己更是拿出了全世界第一塊採用20nm工藝的晶圓。

據介紹,這塊晶圓不但使用了業界領先的20nm LP HKMG(低功耗高K金屬柵極)製造工藝,還引入了Gate-Last技術,簡單地說就是在對硅片進行漏/源區離子注入操作以及隨後的高溫退火工步完成之後再形成金屬柵極。

Gate-Last(後柵極)、Gate-First(前柵極)是實現HKMG結構晶體管的兩大技術流派,區別主要在於硅片漏/源區離子注入操作、高溫退火和形成金屬柵極的先後。Intel從45nm工藝開始就堅持使用Gate-Last,台積電也決定從28nm開始引入。IBM聯盟方面之前一直支持Gate-First,包括32/28nm工藝,現在看來20nm將成為其第一個拐點。
IBM沒有透露這種晶圓會用於製造何種產品,但既然是低功耗版本,應該不會用在CPU、GPU等高性能芯片上。


晶圓整體



晶圓局部


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