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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=) --  【資訊】DDR4還得等2年，ISSCC內存技術發展一覽 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=33405)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2012 02 23 2:16 PM --  【資訊】DDR4還得等2年，ISSCC內存技術發展一覽 目前服務器和PC領域是DDR3內存標準當道，移動和智能設備平台上則以低功耗的LPDDR2內存主打，不過據PCWatch報道JEDEC已經未雨綢繆，分別制定了DDR4和LPDDR3標準以接替二者的工作。相關的新一代內存技術細節也在日前的ISSCC 2012會議上陸續披露。 DDR4：速度翻番，2013年開始應用 　　主流的DDR3內存速率為1.6Gbps（DDR3-1600），DDR4的目標是速度至少提高一倍，起始速率達到3.2Gbps，最早將會在2013年應用在服務器市場，2014年才能走入PC平台。 　　其實三星電子已在去年1月4日就製造出了DDR4內存，使用的工藝是30nm，速率為2133Mbps，工作電壓1.2V，容量2Gbit。 　　三星拿出的4Gbit容量DDR4顯存工作電壓1.2V，依然是3層CMOS 30nm製造工藝，未來會採用下一代20nm工藝。 　　試產的型號實際工作電壓1.14V，速率也可以達到3.3Gbps。上圖展示的就是三星DDR4內存的核心。 　　Hynix展出的DDR4內存容量為2Gbit，製程工藝為3層布線的38nm工藝，速率為2.4Gbps，工作電壓也是1.2V。 　　如果將DDR4內存的頻率降至DDR3相同的2133Mbps，那麼前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便電壓降至1.0V，速率依然能保持在2.4Gbps左右。 LPDDR3：帶寬翻倍，能耗更低 　　目前在智能設備領域廣泛使用的LPDDR2也將會升級到LPDDR3標準，帶寬將從3.2GB/s提高到6.4GB/s，頻率從400MHz提高到800MHz，同時更加節能，預計在2013年開始推廣。 　　三星展示的LPDDR3內存使用30nm工藝，容量4Gbit，電壓1.2V，32bit位寬，速率1.6Gbps，帶寬可達6.4GB/s。 三星展示的4Gbit LPDDR3內存核心面積為82mm2 85°C高溫測試顯示降至1.05V下速率依然能維持在800MHz（1600MT/s） 　　Hynix展示的4Gbit DDR3內存核心面積只有30.9mm2，因為它使用的製程工藝為23nm，2層銅布線、1層鋁布線。電壓也只有1.2V，與超低電壓版DDR3U相當，核心工作電壓甚至可以低至1.05V。 　　ISSCC 2012會議上的DRAM廠商只有三星和hynix這兩家，日系榮光爾必達和美系精英鎂光都沒有露面，爾必達去年11月雖然宣佈了4Gbit LPDDR3內存，但是目前自身難保，鎂光在DRAM內存上也大不如前，只有大韓民國的兩家廠商兄弟之爭了。

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