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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=) --  【資訊】你真的瞭解DDR4麼？看官方全景講解 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=37301)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 03 4 5:13 AM --  【資訊】你真的瞭解DDR4麼？看官方全景講解 2012年9月底，DDR4內存標準規範正式公佈，不過小半年過去了，DDR4內存仍然基本停留在紙面上，要到明年才會真正啟程。為了讓整個行業更好地瞭解DDR4技術，JEDEC組織近日在加州聖克拉拉召開會議，深入講解了DDR4的方方面面。因為其中涉及的很多技術細節過於複雜，普通用戶也不需要瞭解太多，我們就結合官方幻燈片來簡單看看。 這是三星電子生產的3xnm DDR4內存顆粒晶圓，單顆容量4Gb(512MB)。 從明年開始，服務器平台將首先轉向DDR4，預計明年80％新發佈的系統都會支持DDR4，其中超過一半僅支持DDR4。JEDEC在預測未來方面總是很樂觀。 DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。雖然標準規定最低是DDR4-1600，但從實用角度講，起步怎麼也得DDR4-2133，最高則是DDR4-3200。新內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。 DDR3、DDR4內存條外觀對比：除了內存顆粒封裝形式、DIMM類型不變之外， DDR4的外觀有了很大的變化。 1、DIMM內存條的長度維持133.35±0.15毫米不變，但是高度從30.35±0.15毫米略微增加到31.25±0.15毫米。SO-DIMM筆記本內存條的長度從67.6毫米增至68.6毫米，高度變化同上。 2、內存條厚度從1.0毫米增至1.2毫米，主要是因為PCB層數增多了。 3、針腳數量，DIMM的從240針增至284針，同時針腳間距從1.0毫米縮短到0.85毫米，總長度基本不變。SO-DIMM的從204針增至256針，同時針腳間距從0.6毫米縮短到0.5毫米，因為針腳增加更多、間距縮小卻更少，總長度有所增加，故而內存條也變長了1毫米。 4、金手指底部之前一直都是平直的，DDR4卻是彎曲的，其中兩頭較短、中間較長，這樣主要是為了更方便插拔。金手指缺口的位置也和DDR3的不一樣了，以防止插錯。 5、內存條上的數據還從也從1個大幅增加到了9個。 DDR4 SO-DIMM內存可以原生支持ECC錯誤校驗，方便微型服務器和小型設備。 DDR4新功能分類：功耗方面的優化佔了幾乎一半，成為重中之重，而性能、信號傳輸、可靠性三個方面差不多，合計佔了一半。 DDR4、DDR3一般規格對比：普通用戶能感受到的最明顯的就是內存顆粒密度的增加、頻率的提升了。 核心架構與物理規格對比：除了封裝形式不變(也就是DDR3/4顆粒外表看起來是一樣的)、內存類型不變，架構規格上的變化是全方位的，尤其是電壓更低、Bank更多、針腳更多。 接口對比。 功能特性對比。 更低的電壓：這是每一代DDR進化的必備要素，DDR4已經降至1.2V，而且這只是標準版，低壓版還在商討之中。 偽開漏信號：DDR4降低了I/O電流消耗。 數據總線倒置(DBI)：可降低VDDQ電流、減少數據切換操作。 Bank分組優化調度：DDR3里的所有Bank都是共享I/O柵極結構的，DDR4則進行了分組，不同分組之間的寫入-讀取轉換速度會更快。 多重目的寄存器：四個頁面(Pages)，每頁有四個8-bit寄存器，總共16個。 循環冗余校驗(CRC)：寫入CRC可以在DDR4數據總線上提供實時的錯誤檢測，對於四種隨機錯誤的檢測率可達100％。 C/A對等功能可以見擦汗命令與地址總線。 Die堆疊是實現DDR4更高存儲密度的關鍵，當然這樣對製造工藝、電路佈局、信號傳輸、指令控制等都提出了更苛刻的要求，當然成本也會高不少。這種新的內存封裝方式被稱為「3DS」(不是任天堂掌機)。 製造技術上主要是流行的硅穿孔(TSV)，其它垂直電氣連接技術也可以。每個Ball都與所有的Die相連。 內部Die配置上採用了主從區分的方式，其中主Die一個、從Die一至八個。只有主Die可以對外聯繫，其它Die都隱藏在幕後。 這種設計帶來了更高的存儲密度和帶寬利用率，同時又保持了信號傳輸等方面的一致性和兼容性。如果使用4Gb(512MB)的Die，單條內存最大容量可達64GB，8Gb Die就可以實現128GB。

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