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--  【資訊】三星開始量產10納米128Gb TLC NAND閃存芯片 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=37854)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2013 04 11 2:51 PM

--  【資訊】三星開始量產10納米128Gb TLC NAND閃存芯片


  三星宣佈開始量產10納米的128Gb TLC NAND閃存芯片。在去年11月時三星才開始生產10納米的64Gb TLC NAND閃存芯片,而現在已經翻倍了。

  據Softpedia介紹,新的閃存芯片將會應用於128GB的存儲卡,500GB或更高容量的SSD固態硬盤,PCI-E接口的SSD,還有其他方面。



  三星表示新芯片使用了Toggle DDR 2.0接口,傳輸速度可以達到400Mbps,而存儲密度也是業界最高的。與20納米的64Gb TLC閃存相比,10納米的128Gb TLC閃存產品的生產力可以達到它的兩倍。

  2010年,三星首次大量生產了20納米的64Gb TLC閃存產品,隨後搭載於去年推出的840系列SSD產品。


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