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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  硬體資訊 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=20&page=) --  【資訊】NAND工藝路線圖：20nm是主流，2013年底邁向1xnm工藝 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=38631)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 05 10 5:13 AM --  【資訊】NAND工藝路線圖：20nm是主流，2013年底邁向1xnm工藝 　　近年來整個NAND市場因SSD及智能設備的快速發展而不斷壯大，從2012年到2017年這五年間SSD銷量將增長6倍，今年的NAND市場產值也將達到300億美元，歷史上第一次超過DRAM產產業。 　　從今年開始，世界主流NAND廠商陸續從上一代25nm工藝升級到了20nm工藝，下一代的NAND閃存會使用什麼工藝呢？Techinsights公佈了一份NAND工藝路線圖，顯示主要NAND廠商今年底會逐步升級到1xnm工藝，不同廠商則有18、16及15nm工藝的不同。 　　圖中的ITRS（半導體國際技術路線圖）並非一家公司，而是國際組織制定的、反應NAND整體工藝進展的路線圖。從ITRS的路線圖來看，業界在2012年的主流是20nm工藝階段，今年的主流則是18nm，年底則會升級到16nm。 　　還是來看各個廠商的具體工藝路線圖吧。美光、Intel合資的IMFT會在2013年Q3季度升級到18nm工藝，三星及SK Hynix升級新工藝的節點也在Q3季度，但是前者會升級到16nm工藝，SK Hynix則會升級到15nm。 　　東芝、SanDisk合資的NAND廠升級19nm比其他廠商要晚一些，不過升級到未來的1xnm工藝進度要比其他廠商快，今年Q2季度就會開始製程轉換，只是現在還不知道東芝的1xnm工藝到底是多少。 　　雖然製程工藝在升級，MLC依然會是四大NAND廠商的主要選擇，但是線寬的降低也給MLC帶來更多的挑戰，漏電流控制柵極都會導致可靠性進一步減少。低電壓及低線寬（工藝越高線寬刻度越小）都會給MLC帶來嚴重挑戰。 　　為了進一步提高芯片密度，廠商們還準備將目前的2D工藝升級到3D工藝，這樣可以在一個上硅芯片上佈置2層電路，這就是常說的3D堆疊工藝。 　　期待在2013年晚些時候見到3D堆疊的NAND。

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