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--  【評測】開蓋又有獎!Haswell溫度、超頻依然大雷 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=20&tid=39380)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2013 06 19 8:54 AM

--  【評測】開蓋又有獎!Haswell溫度、超頻依然大雷


Ivy Bridge的開蓋風潮似乎還在昨天,Haswell又「慘遭毒手」了。兩代產品同樣都是22nm 3D晶體管工藝,封裝內部硅脂都是很廉價的。Core i7-3770K被普遍發現如果開蓋換用更好的硅脂和散熱器,核心溫度能夠降低一大截。儘管也有試驗得出了不同的結論,但一般來說,Ivy Bridge確實存在「開蓋有獎」的問題,嚴重程度基本看人品。

那麼,Haswell能夠避免這個問題麼?前期情況看比較難,工藝、硅脂沒什麼變化的同時,Haswell還整合了電壓控制器,並引入了AVX2、TSX指令集,一級、二級緩存的數據帶寬也翻了一番,都導致處理器功耗和溫度進一步提升,很多型號規格變化不大但是熱設計功耗增加不少就是明證,一時間關於Haswell高溫的爭議甚囂塵上。

日本同學此前曾經撬開了Core i7-4770K的頂蓋,但還沒做任何測試。PCEVA論壇的royalk又開始了他的新一輪冒險。

測試的對象是一顆正式零售版的4770K,但遺憾的是,零售版的4770K滿大街都是雷U,絕大多數超到4.5GHz都無法穩定通過拷機,完全不如工程樣品。又讓Intel給騙了。

而測試的這一顆更是大雷,開蓋前4.5GHz都不穩定,只能跑4.4GHz,核心電壓為1.25V,外部供電輸入電壓是默認的1.8V。內存運行在DDR3-2666 11-13-12,電壓1.172V。



royalk去年的測試發現Ivy Bridge頂蓋對導熱能力影響不大,溫差不超過0.5℃,所以關鍵還是在內部硅脂。這次他就省略了CPU核心直接接觸散熱器底座的部分,直接開蓋並換上酷冷博Liquid Ultra液態金屬作為導熱介質。

測試平台配置:
處理器:Intel Core i7-4770K
主板:技嘉GA-Z87X-OC
內存:芝奇F3-17000CL11D-8GBXL
顯卡:微星N660 TwinFrozr 2GD5/OC
硬盤:浦科特PX-128M2P
電源:安耐美Revolution 85+ 1050W
散熱器:貓頭鷹NH-U14S
CPU頂蓋與散熱器外部導熱介質:采融Megahelems Rev.B原配硅脂
CPU核心與頂蓋內部導熱介質:去年開3770K頂蓋用剩下的酷冷博Liquid Ultra
測試環境:全程空調26℃、裸機



注意:以下行為非常危險,首先會讓你的CPU失去保修,其次稍不注意如果損傷核心,就會讓你的CPU一命嗚呼,所以大家可以圍觀,切勿效仿!刊登本文僅出於技術探討目的,對任何因打開CPU頂蓋而造成的問題不負責任!


零售版Core i7-4770K,生產週期L306B334。

開蓋工具是吉列剃鬚刀的刀片。友情提示:千萬不要用鈍刀片或者厚刀片去切CPU的封膠,否則很容易劃傷PCB,後果就是CPU直接掛掉。為了保險起見,多買幾片是不錯的選擇。

還是和對待3770K一樣切開頂蓋四周的黑膠。注意不要用太大力道。切左邊和上下的時候不要切太深,以免碰到核心和電容,當然也得小心自己的手指。

完工後近距離特寫。毫無疑問是和IVB一樣很普通的硅脂。

頂蓋背後的硅脂也還是又乾又硬的,和IVB的一樣。

清理殘留硅脂和黑膠,可以看到比IVB多了一排Vccin輸入濾波電容

Haswell的內核很狹長。


Liquid Ultra液態金屬硅脂。

薄薄地塗一層。不能塗太厚,否則反而會影響散熱效果。

裝回頂蓋的時候有個小技巧,可以在核心周圍粘一些雙面膠,受壓力和受熱後還會讓PCB、頂桿粘得很牢,再次開蓋也會很容易。

最後擦乾淨頂蓋上的硅脂和黑膠,蓋回,大功告成。

上機,準備測試。
測試運行20分鐘的Prime 95 27.9 Blend模式,第10分鐘起開始記錄溫度,20分鐘之後截圖。Small FTT模式固然會讓溫度更高,但是開蓋前直接就100度了,會自動降頻,就不能和開蓋之後公平對比了。

開蓋前:燒機20分鐘,四個核心各自平均溫度為78.5、78.4、78.2、77.1℃,RealTemp錄得最高溫度為88℃。


開蓋後:燒機20分鐘,四個核心各自平均溫度為63.1、65.5、66.2、65.9℃,RealTemp錄得最高溫度為73℃。


對比圖:很明顯了,至少這一顆4770K開蓋換硅脂後核心溫度大幅降低了12-15℃,平均只有65℃左右,最高也只有70多,再次證明了Intel的坑爹做法。


此外,開蓋之後可以穩定跑4.5GHz。Vccin 2V、Vcore 1.315V下拷機20分鐘溫度最高也只有80℃,而開蓋前很快就會90℃。

不管怎麼說,22nm 3D晶體管工藝雖然先進,但是直接導致晶體管和內核太小、太集中,反而不好散熱,這是新工藝不可避免的缺陷,而且估計會在下一代14nm上更加嚴重(不知道Broadwell跳票到2015年是否與此有關)。

Intel偏偏此時又放棄釬焊,改而在內核與頂蓋之間使用廉價硅脂,進一步影響了散熱,導致溫度偏高、超頻困難,不知道怎麼想的。

總之,雖然這次只是個例測試,但已經足以證明老毛病依然在Haswell上存留。至於該怎麼辦,如果你只是普通用途,就不要糾結了,日常沒什麼影響的,但如果你想大幅超頻(這個還不如去用工程樣品),或者經常執行高負載任務、對溫度很敏感,又或者有完美主義強迫症,又或者喜歡折騰和冒險,那就勇敢地去開吧騷年。


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