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--  【資訊】手機4GB內存有望:SK海力士首發8Gb LPDDR3 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=21&tid=39273)


--  作者:andy6989
--  發佈時間:2013 06 11 4:11 AM

--  【資訊】手機4GB內存有望:SK海力士首發8Gb LPDDR3


全球二十大半導體廠商之一的韓國SK海力士日前宣佈,目前已經完成8Gb LPDDR3低功耗內存芯片的研發,已經將樣品提供給合作夥伴,預計將於年底量產。這是業界內LPDDR3內存首次達到8Gb容量,未來為高端智能手機帶來更強悍的性能表現。

此前三星曾宣佈開始生產4Gb LPDDR3內存,採用20nm工藝製程打造,宣稱可媲美PC中使用的標準型內存的性能水平。此次SK海力士的8Gb LPDDR3同樣使用20nm工藝,並將容量翻了一倍,而且相比之下封裝厚度進一步降低,同一封裝下可堆疊四顆芯片(容量可達到32Gb,即4GB容量)。

速度上,芯片每根引腳的傳速速率可達2133Mbps,並擁有32bit的I/O總線,單通道帶寬可達8.5GB/s、雙通道17GB/s,性能是此前移動內存標準LPDDR2 800Mbps的2倍以上。此外,和30nm的LPDDR3相比,性能提升30%,功耗降低20%。

此外,新的8Gb LPDDR3將提供多種封裝格式,可使用PoP、eMMC等目前移動設備常用的規格。
LPDDR3是目前最快移動內存芯片,主要應用與高端智能手機上(比如Galaxy S4),此次SK海力士推出的8Gb LPDDR3有望將未來智能手機的內存容量提升到4GB




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