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以文本方式查看主題 -  熊蓋站 (http://localhost/phpwind//index.php) --  手機 & 手錶 (http://localhost/phpwind//thread.php?fid=21&page=) --  【資訊】驍龍800、瑞芯微RK3188內核照片首曝 (http://localhost/phpwind//read.php?fid=21&tid=40006)

--  作者：andy6989 --  發佈時間：2013 07 24 6:08 AM --  【資訊】驍龍800、瑞芯微RK3188內核照片首曝 芯片專家Chipworks近日發佈報告，詳細介紹了高通驍龍800、瑞芯微RK3188兩款基於28nm工藝的四核心移動芯片，並首次曝光了它們的內核照片(多晶硅層面)。 驍龍800 MSM8974是當今最頂級的移動芯片，採用台積電28nm HPM工藝製造，內核面積11.14×10.62＝118.3平方毫米，整合四個Krait 400 2.3GHz CPU核心、Adreno 330 450MHz GPU核心、3G/4G LTE基帶。 這也是高通第一次使用台積電最高端的28nm HPM工藝(也是該工藝第一次量產)，融入了高K金屬柵極技術和硅鍺材料，柵極長度更短、SRAM單元面積更小(0.13平方微米)，可將芯片性能發揮到極致並很好地控制功耗。此前高通用的都是28nm LP，使用多晶硅柵極和氮氧化硅。 NVIDIA Tegra 4用的則是28nm HPL，注重漏電率與性能之間的平衡，僅從這一點看NVIDIA就不會在性能上佔優勢。 台積電宣稱，28nm HPM可以帶來比28nm HP更高的頻率，同時漏電率水平保持一致，非常適合高性能移動處理器。 瑞芯微RK3188整合了四個ARM Cortex-A9 1.6GHz CPU核心、四個ARM Mali 600MHz GPU核心，內核面積4.71×5.82＝24.7平方毫米。 它是第一款國產的28nm工藝移動芯片，但用的是GlobalFoundries 28SLP(超低功耗)工藝，同樣也有高K金屬柵極技術，定位就是競爭台積電28nm HPM。 GF是通用平台聯盟的一員(還包括IBM、三星)，28nm SLP技術自然也來源於此，所以用的是前柵極(gate first)，PMOS晶體管內也有硅鍺通道。不同於給AMD製造處理器的32nm SOI，這種工藝是Bulk Silicon。 是不是覺得上邊的圖都太小了不過癮？不好意思，大圖是要和詳細報告一起賣錢的：內核照一張200美元、多晶硅層內核照一張2500美元、功能性分析報告一份5000美元、架構前端分析一份17000美元。 想買的點這裡和這裡。

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