熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】DDR4還得等2年,ISSCC內存技術發展一覽

--> 本頁主題: 【資訊】DDR4還得等2年,ISSCC內存技術發展一覽 加為IE收藏 | 收藏主題 | 上一主題 | 下一主題 | 可列印版本
andy6989


終身成就獎
頭銜:論壇執行長論壇執行長

∷ 職務: 站長 該帥哥目前不在線
∷ 編號: 1
∷ 級別: 天使會員
∷ 發帖: 8098
∷ 威望: 6189
∷ 財富: 36813 蓋幣
∷ 貢獻: 173
∷ 配偶: 單身
∷ 家族: 無門無派
∷ 註冊: 2005-01-30
∷ 上次: 2019-03-27
鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
  【字體: Plurk Twitter 
【本站推薦】:
 【資訊】DDR4還得等2年,ISSCC內存技術發展一覽

目前服務器和PC領域是DDR3內存標準當道,移動和智能設備平台上則以低功耗的LPDDR2內存主打,不過據PCWatch報道JEDEC已經未雨綢繆,分別制定了DDR4和LPDDR3標準以接替二者的工作。相關的新一代內存技術細節也在日前的ISSCC 2012會議上陸續披露。

DDR4:速度翻番,2013年開始應用

  主流的DDR3內存速率為1.6Gbps(DDR3-1600),DDR4的目標是速度至少提高一倍,起始速率達到3.2Gbps,最早將會在2013年應用在服務器市場,2014年才能走入PC平台。

  其實三星電子已在去年1月4日就製造出了DDR4內存,使用的工藝是30nm,速率為2133Mbps,工作電壓1.2V,容量2Gbit。

  三星拿出的4Gbit容量DDR4顯存工作電壓1.2V,依然是3層CMOS 30nm製造工藝,未來會採用下一代20nm工藝。

  試產的型號實際工作電壓1.14V,速率也可以達到3.3Gbps。上圖展示的就是三星DDR4內存的核心。

  Hynix展出的DDR4內存容量為2Gbit,製程工藝為3層布線的38nm工藝,速率為2.4Gbps,工作電壓也是1.2V。

  如果將DDR4內存的頻率降至DDR3相同的2133Mbps,那麼前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便電壓降至1.0V,速率依然能保持在2.4Gbps左右。
LPDDR3:帶寬翻倍,能耗更低

  目前在智能設備領域廣泛使用的LPDDR2也將會升級到LPDDR3標準,帶寬將從3.2GB/s提高到6.4GB/s,頻率從400MHz提高到800MHz,同時更加節能,預計在2013年開始推廣。

  三星展示的LPDDR3內存使用30nm工藝,容量4Gbit,電壓1.2V,32bit位寬,速率1.6Gbps,帶寬可達6.4GB/s。

三星展示的4Gbit LPDDR3內存核心面積為82mm2

85°C高溫測試顯示降至1.05V下速率依然能維持在800MHz(1600MT/s)

  Hynix展示的4Gbit DDR3內存核心面積只有30.9mm2,因為它使用的製程工藝為23nm,2層銅布線、1層鋁布線。電壓也只有1.2V,與超低電壓版DDR3U相當,核心工作電壓甚至可以低至1.05V。

  ISSCC 2012會議上的DRAM廠商只有三星和hynix這兩家,日系榮光爾必達和美系精英鎂光都沒有露面,爾必達去年11月雖然宣佈了4Gbit LPDDR3內存,但是目前自身難保,鎂光在DRAM內存上也大不如前,只有大韓民國的兩家廠商兄弟之爭了。


※ ※ ※ 本文為 andy6989 與 熊蓋站 共同所有,未經同意,請勿轉載 ※ ※ ※

 



≡熊蓋站管理團隊≡--共勉之--



[樓 主] |
發表於:2012-02-23 14:16

  熊蓋站 -> 硬體資訊

v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.023740 second(s),query:4 Gzip enabled
   現在時間是 2024-6-3 6:32