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熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】DDR4還得等2年,ISSCC內存技術發展一覽

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andy6989


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 【資訊】DDR4還得等2年,ISSCC內存技術發展一覽

目前服務器和PC領域是DDR3內存標準當道,移動和智能設備平台上則以低功耗的LPDDR2內存主打,不過據PCWatch報道JEDEC已經未雨綢繆,分別制定了DDR4和LPDDR3標準以接替二者的工作。相關的新一代內存技術細節也在日前的ISSCC 2012會議上陸續披露。

DDR4:速度翻番,2013年開始應用

  主流的DDR3內存速率為1.6Gbps(DDR3-1600),DDR4的目標是速度至少提高一倍,起始速率達到3.2Gbps,最早將會在2013年應用在服務器市場,2014年才能走入PC平台。

  其實三星電子已在去年1月4日就製造出了DDR4內存,使用的工藝是30nm,速率為2133Mbps,工作電壓1.2V,容量2Gbit。

  三星拿出的4Gbit容量DDR4顯存工作電壓1.2V,依然是3層CMOS 30nm製造工藝,未來會採用下一代20nm工藝。

  試產的型號實際工作電壓1.14V,速率也可以達到3.3Gbps。上圖展示的就是三星DDR4內存的核心。

  Hynix展出的DDR4內存容量為2Gbit,製程工藝為3層布線的38nm工藝,速率為2.4Gbps,工作電壓也是1.2V。

  如果將DDR4內存的頻率降至DDR3相同的2133Mbps,那麼前者的功耗相比DDR3可以降低80%。而且即便電壓降至1.0V,速率依然能保持在2.4Gbps左右。
LPDDR3:帶寬翻倍,能耗更低

  目前在智能設備領域廣泛使用的LPDDR2也將會升級到LPDDR3標準,帶寬將從3.2GB/s提高到6.4GB/s,頻率從400MHz提高到800MHz,同時更加節能,預計在2013年開始推廣。

  三星展示的LPDDR3內存使用30nm工藝,容量4Gbit,電壓1.2V,32bit位寬,速率1.6Gbps,帶寬可達6.4GB/s。

三星展示的4Gbit LPDDR3內存核心面積為82mm2

85°C高溫測試顯示降至1.05V下速率依然能維持在800MHz(1600MT/s)

  Hynix展示的4Gbit DDR3內存核心面積只有30.9mm2,因為它使用的製程工藝為23nm,2層銅布線、1層鋁布線。電壓也只有1.2V,與超低電壓版DDR3U相當,核心工作電壓甚至可以低至1.05V。

  ISSCC 2012會議上的DRAM廠商只有三星和hynix這兩家,日系榮光爾必達和美系精英鎂光都沒有露面,爾必達去年11月雖然宣佈了4Gbit LPDDR3內存,但是目前自身難保,鎂光在DRAM內存上也大不如前,只有大韓民國的兩家廠商兄弟之爭了。


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發表於:2012-02-23 14:16

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