熊蓋站 - 首頁

  Plurk Twitter    

» 您尚未 登入註冊 | 說明 | 娛樂中心 | 點歌 | 聊天留言 | 最新 | 精華 | 論壇 | 資訊 | 首頁 | 影音模式

熊蓋站  -> 硬體資訊  -> 【資訊】全球第一:海力士量產16nm 8GB閃存顆粒

--> 本頁主題: 【資訊】全球第一:海力士量產16nm 8GB閃存顆粒 加為IE收藏 | 收藏主題 | 上一主題 | 下一主題 | 可列印版本
andy6989


終身成就獎
頭銜:論壇執行長論壇執行長

∷ 職務: 站長 該帥哥目前不在線
∷ 編號: 1
∷ 級別: 天使會員
∷ 發帖: 8098
∷ 威望: 6189
∷ 財富: 36813 蓋幣
∷ 貢獻: 173
∷ 配偶: 單身
∷ 家族: 無門無派
∷ 註冊: 2005-01-30
∷ 上次: 2019-03-27
鮮花(55)
寵物資料

寵物狀態:生存
寵物級別:287 -最終進化-
寵物PK:開(接受挑戰)
HP:7275/7275
MP:674/674
SP:4800/5000
EXP:86%
  【字體: Plurk Twitter 
【本站推薦】:
 【資訊】全球第一:海力士量產16nm 8GB閃存顆粒

韓國SK海力士今天宣佈,已經開始大規模量產16nm工藝的64Gb(8GB) MLC NAND閃存顆粒,這也是當今最先進的閃存製造工藝。

其實早在今年六月,海力士就量產了第一版的16nm NAND閃存,最近投產的則是第二版,芯片尺寸更小,更具競爭力。

此外,海力士還根據16nm 64Gb閃存的規範和耐久性,成功研發了128Gb(16GB)容量版本,存儲密度世界最高,計劃明年初投入量產。

海力士指出,通常情況下,NAND閃存工藝越先進,單元之間的 干擾就越嚴重,但是他們引入了最新的Air-Gap技術來克服這種干擾,主要是將電路之間用於絕緣的基底換成了真空孔。

海力士最後稱,將繼續加速研發TLC NAND、3D NAND閃存技術。



※ ※ ※ 本文為 andy6989 與 熊蓋站 共同所有,未經同意,請勿轉載 ※ ※ ※

 



≡熊蓋站管理團隊≡--共勉之--



[樓 主] |
發表於:2013-11-21 14:22

  熊蓋站 -> 硬體資訊

v 最新文章        熊蓋站為自由討論論壇,所有個人行為或言論不代表本站立場。文章內容如有涉及侵權請聯絡我們,將立即刪除相關文章資料        v 精華文章

               

奇摩搜尋
完全比對 模糊比對

線上收看: 景點即時影像 | 線上查詢: 火車時刻表最上方

    Powered by 熊蓋站  Code © 2005-2017 Plurk Twitter 
讀取秒數Time 0.026552 second(s),query:4 Gzip enabled
   現在時間是 2024-11-27 12:27